美国加利福尼亚大学圣地亚哥分校的研究团队开发了基于纳米结构、不依赖半导体传导的光控微电子设备,在低电压和低功率激光引起的条件下,电导率可以比现有的半导体设备提高近10倍。该成果公布于11月4日的《自然通信》杂志上。传统的半导体设备受材料本身的允许,在频率、消耗电力等方面没有无限的大小,利用自由电子代替半导体材料一般需要低电压、大功率激光和高温的唤起。该团队在硅片上用金加工了类似蘑菇形状的纳米结构(称为超强材料结构),在10伏以下的直流电力和低功率的红外激光下释放自由电子,大幅度提高设备的导电率。
该设备几乎不可能取代半导体设备,但在类似市场需求下可能获得最佳应用,如超高频设备或大功率设备。未来不同的超强材料表面结构可能局限于不同类型的微电子设备,应用于光化学、光催化、光转化等领域。
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